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已婚相关成果以题为HighlyefficientandstableInP/ZnSe/ZnSquantumdotlight-emittingdiodes发表在了Nature。为了保持较高的发光效率，人士设计的壳厚度可抑制能量转移和俄歇复合，并且初始表面配体被较短的配体取代，以实现更好的电荷注入。

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【成果简介】今日，关于在韩国三星先进技术研究院EunjooJang团队（通讯作者）带领下，关于与韩国延世大学合作，介绍了一种制备均匀InP核和高度对称的核/壳QD的合成方法，其量子产率约为100％。【图文导读】图1 不同形貌和壳厚度的InP/ZnSe/ZnS量子点图2InP基的QD-LED的性能图3QD-1、已婚QD-2和QD-3R的光学特性图4配体交换QD的QD-LED文献链接：已婚HighlyefficientandstableInP/ZnSe/ZnSquantumdotlight-emittingdiodes（Nature，2019，DOI:10.1038/s41586-019-1771-5）本文由木文韬翻译，材料牛整理编辑。

人士这些已准备好的InP基QD-LED将很快在商业显示器中使用。

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